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Anschlüsse, Verbindungen
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Infineon Technologies SIDC10D120H8X1SA2
| Artikelnummer: | SIDC10D120H8X1SA2 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | DIODE GP 1.2KV 15A WAFER |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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- Spezifikationen
- Einkaufshandbuch
- Versandinformationen
- Verpackung
-
Infineon Technologies SIDC10D120H8X1SA2 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments SIDC10D120H8X1SA2.Produkteigenschaften Eigenschaften Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 1.97 V @ 7.5 A Spannung - Sperr (Vr) (max) 1200 V Technologie Standard Supplier Device-Gehäuse Sawn on foil Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Serie - Verpackung / Gehäuse Die Paket Bulk Produkteigenschaften Eigenschaften Betriebstemperatur - Anschluss -40°C ~ 175°C Befestigungsart Surface Mount Strom - Sperrleckstrom @ Vr 27 µA @ 1200 V Strom - Richt (Io) 15A Kapazität @ Vr, F - Grundproduktnummer SIDC10 SIDC10D120H8X1SA2 Einzelheiten PDF [English] SIDC10D120H8X1SA2 PDF - EN.pdf -
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